“Samsung Galaxy S10 + Ă€r sannolikt den första smarttelefonen som har 1 TB eUFS-flashlagring”
Samsung Electronics har meddelat vÀrldens första 1 TB inbÀddade Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 för anvÀndning i nÀsta generations mobiler bara nÄgra veckor före lanseringen av Galaxy S10. Det koreanska företaget har börjat massproduktionen av 1TB eUFS, vilket föreslÄr sin nÀrvaro pÄ den kommande Galaxy S10 +. Sortimentets toppmodell av Samsungs kommande flaggskepp förvÀntas ocksÄ innehÄlla 1 TB inbyggd lagring och 12 GB RAM.
Med samma 11,5 mm x 13,0 mm-paket som den tidigare 512 GB-versionen fördubblar 1 TB eUFS 2.1 kapaciteten genom att kombinera 16 staplade lager av 512 GB V-NAND-flashminne och en nyutvecklad proprietÀr styrenhet. Som ett resultat gör det det möjligt för anvÀndare att lagra 260 10-minuters videor i 4K UHD (3840 à 2160) upplösning jÀmfört med 13 videor av samma storlek i 64 GB eUFS.
Den nya eUFS erbjuder en sekventiell lÀshastighet pÄ upp till 1 000 Mbps, vilket Àr 10 gÄnger snabbare Àn ett normalt microSD-kort och en slumpmÀssig lÀshastighet pÄ upp till 58 000 IOPS (upp till 38 procent mer Àn 512 GB-versionen). SlumpmÀssiga skrivningar kommer ocksÄ snabbare in pÄ upp till 50 000 IOPS, vilket Àr 500 gÄnger snabbare Àn ett högpresterande microSD-kort (100 IOPS).
“1TB eUFS förvĂ€ntas spela en viktig roll för att ge en mer bĂ€rbar datorliknande anvĂ€ndarupplevelse till nĂ€sta generation mobila enheter,” sa Cheol Choi, Executive Vice President of Memory Sales & Marketing pĂ„ Samsung Electronics. “Samsung har dessutom Ă„tagit sig att försĂ€kra den mest pĂ„litliga leveranskedjan och tillrĂ€ckliga produktionskvantiteter för att stödja den snabba lanseringen av kommande flaggskeppssmartphones för att pĂ„skynda tillvĂ€xten pĂ„ den globala mobilmarknaden.”
Samsung sa vidare att man planerar att utöka produktionen av sin femte generation 512Gb V-NAND vid Pyeongtaek-fabriken i Korea under första halvÄret 2019 för att möta efterfrÄgan pÄ 1 TB eUFS.
